不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IPA65R095C7

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IPA65R095C7
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商品详情

  • ID max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    12 A
  • IDpuls max
    100 A
  • Ptot max
    34 W
  • QG (typ @10V)
    45 nC
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) max
    95 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    95 mΩ
  • RthJA max
    80 K/W
  • RthJC max
    3.73 K/W
  • Rth
    3.73 K/W
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO220 FullPAK
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    highest performance
  • Budgetary Price €/1k
    2.02
OPN
IPA65R095C7XKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 PG-TO220-3
封装名 TO220 FullPAK
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 PG-TO220-3
封装名 TO220 FullPAK
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的 CoolMOS ™ C7 超结 MOSFET 系列是技术上的革命性进步，提供全球最低的 RDS(on)/封装，并且由于其低开关损耗，在整个负载范围内提高了效率。

特性

  • 650V 电压
  • 同类最佳的 R DS(on)/封装
  • 低输出电容能量 (E oss)
  • 更低的栅极电荷 Qg
  • SJ 技术的最佳业绩记录

产品优势

  • 增强 SMPS 和太阳能的安全裕度
  • 最低传导损耗/封装
  • 低开关损耗
  • 更好的轻载效率
  • 提高系统功率密度
  • 卓越的品质和可靠性

应用

文档

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