IPB021N10NM5LF2
现货，推荐
符合RoHS标准

IPB021N10NM5LF2

OptiMOS ™ 5 单 N 沟道线性场效应晶体管 2 100 V，2.1 mΩ，176 A，D²PAK 3 引脚封装
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPB021N10NM5LF2
IPB021N10NM5LF2
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    176 A
  • 最高 IDpuls
    704 A
  • QG (typ @10V)
    165 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.1 mΩ
  • Special Features
    Wide SOA
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.3 V 至 3.9 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N

推荐的
OPN
IPB021N10NM5LF2ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MX,MY
晶圆产地
AT,DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MX,MY
晶圆产地
AT,DE
OptiMOS ™ 5 Linear FET 2 技术实现了导通电阻和线性模式能力之间的最佳平衡。 IPB021N10NM5LF2 与 D2PAK 3 引脚封装相结合，专为浪涌电流保护应用而设计，例如热插拔、电子保险丝和电池管理系统 (BMS) 中的电池保护。

特性

  • 宽安全操作区 (SOA)
  • 低 RDS(on)
  • 与线性 FET 相比，IGSS 更低
  • 优化传输特性

产品优势

  • 坚固的线性模式操作
  • 低条件损失
  • 改进了栅极驱动器兼容性
  • 更好的电流共享
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区