IPB110P06LM
现货，推荐
符合RoHS标准

IPB110P06LM

常规和逻辑电平的 P 通道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性
数据手册
封装

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IPB110P06LM
IPB110P06LM
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    -100 A
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    -100 A
  • 最高 IDpuls
    -400 A
  • 最高 Ptot
    300 W
  • QG (typ @10V)
    -281 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    11 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    16 mΩ
  • 最高 VDS
    -60 V
  • VGS(th)
    -1.5 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    P
  • 预算价格€/1k
    1.47
推荐的
OPN
IPB110P06LMATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ D²PAK 封装中的 60V P 沟道 MOSFET 代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。它适用于正常和逻辑电平，具有较宽的 RDS(on) 范围，并且由于 Qg较低，提高了低负载下的效率。

特性

  • VDS = -60V
  • 宽RDS(on)范围
  • 正常和逻辑电平可用性

产品优势

  • 轻松连接 MCU
  • 低负载、低 Qg 时效率提升
  • 快速开关
  • 雪崩耐受性
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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