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IPB180N08S4-02

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80 V、N 沟道、最大 2.2 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK 7 引脚、OptiMOS ™ -T2
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IPB180N08S4-02
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    180 A
  • IDpuls max
    720 A
  • Ptot max
    277 mW
  • QG (typ @10V)
    128 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.2 mΩ
  • RthJC max
    0.54 K/W
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Package
    D2PAK (PG-TO263-7)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-T2
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Automotive
  • Budgetary Price €/1k
    2.33
OPN
IPB180N08S402ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK7P
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK7P
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • N 通道 - 增强模式
  • 符合汽车 AEC Q101 标准
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色封装（无铅）
  • 100% Avalanche 测试
  • 超低 RDS(on)
  • 超高ID
  • 支持 PPAP 的设备

文档

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