IPD068P03L3 G
现货，推荐
符合RoHS标准

IPD068P03L3 G

P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-30 V，D-PAK
数据手册
封装

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IPD068P03L3 G
IPD068P03L3 G
数据手册

商品详情

  • Ciss
    5150 pF
  • Coss
    2090 pF
  • 最高 ID
    -70 A
  • 最高 IDpuls
    -280 A
  • 最高 Ptot
    100 W
  • QG
    68 nC
  • 最高 RDS (on)
    6.8 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    11 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V LL)
    11 mΩ
  • Rth
    1.5 K/W
  • 最高 VDS
    -30 V
  • VGS(th) 范围
    -1 V 至 -2 V
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 预算价格€/1k
    0.37
推荐的
OPN
IPD068P03L3GATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

特性

  • 增强模式
  • 逻辑电平
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • dv/dt 额定值
无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准，无卤素
  • 符合 AEC Q101 要求

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区