IPDQ65R060CFD7A
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IPDQ65R060CFD7A

650 V CoolMOS ™ CFD7A N 通道汽车 SJ 功率 MOSFET，采用 HDSOP-22 顶部冷却
数据手册
封装

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IPDQ65R060CFD7A
IPDQ65R060CFD7A
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • 最高 ID
    45 A
  • 最高 IDpuls
    139 A
  • 最高 Ptot
    272 W
  • QG (typ @10V)
    65 nC
  • QG
    65 nC
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    60 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    50 mΩ
  • 最高 VDS
    650 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    Q-DPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 技术
    CoolMOS™ CFD7A
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Highest cosmic radiation robustness
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IPDQ65R060CFD7AXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 QDPAK 顶部冷却 SMD 封装的 60mΩ IPDQ65R060CFD7A 属于汽车级 650 V CoolMOS ™ SJ 功率 MOSFET CFD7A 产品系列的一部分。与上一代产品相比，CoolMOS ™ CFD7A 具有更高的可靠性和功率密度，同时提高了设计灵活性。顶部冷却进一步支持增加功率密度，降低寄生源电感，并配备开尔文源引脚和3.2毫米爬电距离。

特性

  • 符合 AEC-Q101 标准
  • 适用于硬开关和软开关拓扑
  • 固有快速体二极管
  • 降低寄生源电感
  • 开尔文源极引脚
  • 高电流能力
  • 高功率耗散，Ptot 694 W/25°C
  • 高压爬电距离为 3.2 毫米

产品优势

  • 更好地利用 PCB 空间
  • 汽车应用的最高可靠性
  • 优化功率环路
  • 将热量与基板分离
  • 实现更高功率密度的设计
  • 可扩展用于 PFC 和 DC-DC 级
  • 提供更细粒度的产品组合
文档

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