IPL60R065C7
现货，推荐
符合RoHS标准

IPL60R065C7

CoolMOS ™ C7 超结 MOSFET 在 PFC 和 LLC 拓扑中提供一流的性能
数据手册
封装

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IPL60R065C7
IPL60R065C7
数据手册


商品详情

  • 最高 ID
    29 A
  • 最高 ID (@25°C)
    29 A
  • 最高 IDpuls
    135 A
  • 最高 Ptot
    180 W
  • QG
    68 nC
  • QG (typ @10V)
    68 nC
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    65 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    65 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.69 K/W
  • Rth
    0.69 K/W
  • Special Features
    Highest performance
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    Thin-PAK 8x8
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    5 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    3.06

推荐的
OPN
IPL60R065C7AUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VSON-4
封装名 Thin-PAK 8x8
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2a
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
AT,DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VSON-4
封装名 Thin-PAK 8x8
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2a
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
AT,DE
英飞凌的 600 V 和 650 V CoolMOS ™ C7 超结 (SJ) MOSFET 系列旨在实现创纪录的效率性能，并降低硬开关应用中整个负载范围内的损耗。

特性

  • 降低开关损耗
  • 优异的品质因数 Q G*R DS(on)
  • 提高开关频率
  • 市场上最佳的 R (on)*A
  • 坚固的体二极管

产品优势

  • 增强 SMPS 和太阳能的安全裕度
  • 最低传导损耗/封装
  • 低开关损耗
  • 更好的轻载效率
  • 提高系统功率密度
  • 卓越的品质和可靠性
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