IPL70R2K1CES

数据手册

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IPL70R2K1CES
IPL70R2K1CES
数据手册

商品详情

  • Ciss
    163 pF
  • Coss
    14 pF
  • ID (@25°C) max
    2.3 A
  • ID max
    2.3 A
  • IDpuls max
    6.3 A
  • Ptot max
    22 W
  • Qgd
    4.3 nC
  • QG
    7.8 nC
  • QG (typ @10V)
    7.8 nC
  • RDS (on) max
    2100 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    2100 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    5.6 K/W
  • Rth
    5.6 K/W
  • VDS max
    700 V
  • VGS(th)
    2.5 V to 3.5 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    ThinPAK 5x6
  • 工作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    5 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    price/performance
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CoolMOS ™是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计，由英飞凌科技率先推出。CoolMOS ™ CE 是一个性价比优化的平台，能够满足充电器和适配器市场中的应用，同时仍能满足最高的效率标准。新系列具有快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本性能比。

特性

  • 由于 FOM R DS(on)*Q G 和 E oss 非常低，损耗极低>
  • 非常高的换向坚固性
  • 易于使用/驱动
  • 无铅电镀，无卤素模塑料

产品优势

  • 由于 R DS(on) 典型值与标称值之间的裕度较大，因此传导损耗较低
  • 由于优化的输出电容 (E oss) 而开关损耗较低
  • 优化的 EMI 以平衡开关速度和 EMI 行为
  • 由于集成的 R G
而具有良好的可控性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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