IPLK80R600P7

IPLK80R600P7

采用 ThinPAK 5x6 封装的 800 V CoolMOS ™ P7 超结 MOSFET
数据手册

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IPLK80R600P7
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    8 A
  • 最高 ID
    8 A
  • 最高 IDpuls
    22 A
  • 最高 Ptot
    60 W
  • QG (typ @10V)
    20 nC
  • QG
    20 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    600 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    600 mΩ
  • 最高 VDS
    800 V
  • VGS(th) 范围
    2.5 V 至 3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    Thin-PAK 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.55

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
凭借 800 V CoolMOS™ P7 系列，英飞凌在 800 V 超结技术方面树立了基准，并将一流的性能与最先进的易用性相结合。坚固的栅极模块、体二极管以及快速简洁的开关特性使该产品系列成为基于反激式的消费类开关电源应用的理想之选。它还适用于消费类PFC平台、太阳能、适配器、音频、照明应用。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • COSS中的低存储能量
  • 集成栅极电阻
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更好的控制
  • 硬开关高效率
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适用于硬和谐振拓扑
  • 实现高功率密度
  • 实现更好的控制
  • 开尔文源

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区