IPLT60R120CM8
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IPLT60R120CM8

CoolMOS™ 8 代 600 V 功率晶体管
数据手册
封装

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IPLT60R120CM8
IPLT60R120CM8
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    24 A
  • 最高 IDpuls
    68 A
  • QG
    24 nC
  • QG (typ @10V)
    24 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    120 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    120 mΩ
  • Special Features
    Best price-performance with highest efficiency and fast recovery diode
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3.7 V 至 4.7 V
  • VGS(th)
    4.2 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    TOLT
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N

推荐的
OPN
IPLT60R120CM8XTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
封装尺寸 1800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
封装尺寸 1800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
DE
该器件基于英飞凌世界一流的超结 MOSFET 平台，并集成快速体二极管，使其适用于广泛的应用。600 V CoolMOS™ 8 在最大限度降低系统成本的前提下，实现高功率密度与卓越可靠性。该产品丰富了英飞凌的 WBG 产品线，并且是 600 V CoolMOS™ 7 MOSFET 系列的迭代产品。

特性

  • 显著降低损耗
  • 卓越的换向鲁棒性
  • 集成快速体二极管
  • 静电防护
  • .XT 互连技术
  • 适用于硬开关和软开关应用

产品优势

  • 功率密度提升
  • 易于使用，设计周期更短
  • 最佳性价比
  • 缩小系统尺寸
  • 支持多种拓扑电路
  • 提升散热性能
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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