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IPP04CN10N G
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IPP04CN10N G

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封装
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IPP04CN10N G
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数据手册


商品详情

  • Ciss
    10400 pF
  • Coss
    1590 pF
  • 最高 ID
    100 A
  • 最高 IDpuls
    400 A
  • 最高 Ptot
    300 W
  • QG (typ @10V)
    158 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.9 mΩ
  • Rth
    0.5 K/W
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) (typ) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th) (typ)
    3 V
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    2.23

OPN
IPP04CN10NGXKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
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英飞凌的 100V OptiMOS ™功率 MOSFET 为高效率、高功率密度 SMPS 提供了卓越的解决方案。与第二好的技术相比，该系列的 R DS(on) 和 FOM (品质因数) 均降低了 30%。

特性

  • 卓越的开关性能
  • 全球最低的 RDS(on)
  • 极低的 Qg 和 Qgd
  • 卓越的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM)
  • 符合 RoHS 标准 - 无卤素
  • MSL1 评级为 2

产品优势

  • 环保
  • 提高效率
  • 最高功率密度
  • 所需并联更少
  • 最小的电路板空间消耗
  • 易于设计的产品

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区