IPQC65R017CFD7
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IPQC65R017CFD7

650 V CoolMOS™ N 通道 SJ 功率 MOSFET CFD7，采用 HDSOP-22 底部散热封装
数据手册
封装

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IPQC65R017CFD7
IPQC65R017CFD7
数据手册

商品详情

  • 最高 ID
    136 A
  • 最高 ID (@25°C)
    136 A
  • 最高 IDpuls
    524 A
  • 最高 Ptot
    694 W
  • QG
    236 nC
  • QG (typ @10V)
    236 nC
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    17 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    17 mΩ
  • 最高 VDS
    650 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    Q-DPAK bottom-side cooled
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
推荐的
OPN
IPQC65R017CFD7XTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK bottom-side cooled
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK bottom-side cooled
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 采用了英飞凌的高压超结 MOSFET 技术，集成了快恢复体二极管，是CoolMOS™ 7系列的新一代产品。与竞争对手相比，CFD7 降低了栅极电荷（Qg），改善了关断性能，反向恢复电荷（Qrr）降低至 69％，并且具有市场上最低的反向恢复时间（trr）。底部散热封装最大限度地减少了器件的导通损耗并实现了标准化散热和安装。

特性

  • 超快恢复体二极管
  • 650 V击穿电压
  • 一流的RDS(on) ）
  • 低开关损耗

产品优势

  • 卓越的硬开关鲁棒性
  • 高压设计的安全裕度
  • 更高的功率密度解决方案
  • 出色的轻载效率
  • 改进的满载效率

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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