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IPT029N08N5
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IPT029N08N5

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OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 80V，适用于电信应用
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IPT029N08N5
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    169 A
  • 最高 IDpuls
    676 A
  • 最高 Ptot
    167 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG (typ @10V)
    70 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.9 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.9 K/W
  • Rth
    0.9 K/W
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    TOLL (HSOF-8)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.25

OPN
IPT029N08N5ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,MY
晶圆产地
AT,DE
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,MY
晶圆产地
AT,DE
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OptiMOS ™ 5 80 V 功率 MOSFET，专为电信和服务器电源的同步整流而设计。此外，该设备还可应用于其他工业领域，如太阳能、低压驱动器和适配器。OptiMOS ™ 5 80 V MOSFET 采用七种不同的封装，提供业界最低的 RDS(on)。此外，与上一代产品相比，OptiMOS ™ 5 80 V 的 RDS(on) 降低了高达 43%。

特性

  • 针对同步整流进行了优化
  • 非常适合高开关频率
  • 输出电容减少高达 44%
  • 与上一代产品相比，RDS(on) 减少高达 43%

产品优势

  • 最高系统效率
  • 降低开关和传导损耗
  • 减少并联需求
  • 提高功率密度
  • 低电压过冲
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