不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPT029N08N5

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 80V，适用于电信应用
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPT029N08N5
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    169 A
  • IDpuls max
    676 A
  • Ptot max
    167 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG (typ @10V)
    70 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.9 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.9 K/W
  • Rth
    0.9 K/W
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    TOLL (HSOF-8)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    1.51
OPN
IPT029N08N5ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
OptiMOS ™ 5 80 V 功率 MOSFET，专为电信和服务器电源的同步整流而设计。此外，该设备还可应用于其他工业领域，如太阳能、低压驱动器和适配器。OptiMOS ™ 5 80 V MOSFET 采用七种不同的封装，提供业界最低的 RDS(on)。此外，与上一代产品相比，OptiMOS ™ 5 80 V 的 RDS(on) 降低了高达 43%。

特性

  • 针对同步整流进行了优化
  • 非常适合高开关频率
  • 输出电容减少高达 44%
  • 与上一代产品相比，RDS(on) 减少高达 43%

产品优势

  • 最高系统效率
  • 降低开关和传导损耗
  • 减少并联需求
  • 提高功率密度
  • 低电压过冲

文档

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