IPT039N15N5
现货，推荐
符合RoHS标准

IPT039N15N5

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 150 V 3.9 mOhm（TOLL）
数据手册
封装
评估板

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IPT039N15N5
IPT039N15N5
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    190 A
  • 最高 ID
    190 A
  • 最高 IDpuls
    760 A
  • 最高 Ptot
    319 W
  • QG (typ @10V)
    78 nC
  • QG
    78 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.9 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    3.9 mΩ
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4.6 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    TOLL (HSOF-8)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 蓄电池电压
    72-96 V
  • 预算价格€/1k
    2.16
推荐的
OPN
IPT039N15N5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
Infineon 的 OptiMOS™ 功率 MOSFET 采用无引线封装（TOLL），针对高达 300 A 的大电流应用进行了优化，例如叉车、轻型电动汽车 （LEV）、电动工具、负载点 （POL）、电信和电子保险丝。此外，封装尺寸减小了 60%，实现了非常紧凑的设计。与 D2PAK 7-pin 相比，To-Leadless 的占板面积大幅减少了 30%，高度降低了 50%，在机架或刀片服务器等狭窄应用中具有显著的优势。

特性

  • 最高电流能力：190 A
  • 显著减少电迁移
  • 极低的封装寄生效应
  • 无引线封装

产品优势

  • 更少的并联和冷却需求
  • 最高的系统可靠性
  • 低 EMI
  • 实现非常紧凑的设计
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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