IPT60R145CFD7

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英飞凌对谐振高功率拓扑的回答

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IPT60R145CFD7
IPT60R145CFD7
  • 最高 ID
    19 A
  • 最高 ID (@25°C)
    19 A
  • 最高 IDpuls
    51 A
  • 最高 Ptot
    116 W
  • QG
    28 nC
  • QG (typ @10V)
    28 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    145 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    145 mΩ
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    TOLL
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 采用了英飞凌的高压超结 MOSFET 技术,集成了快速体二极管,是CoolMOS™ 7系列的新一代产品。CoolMOS ™ CFD7 具有降低的栅极电荷 (Qg)、改善的关断行为和与竞争产品相比低高达 69% 的反向恢复电荷 (Qrr),以及市场上最低的反向恢复时间 (trr)。

产品优势

  • 一流的硬换向坚固性
  • 谐振拓扑的最高可靠性
  • 最高的效率,卓越的易用性/性能平衡
  • 实现更高功率密度的解决方案
文档

设计资源

开发者社区

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