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IPTC012N08NM5

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TOLT 中的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 具有出色的热性能
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IPTC012N08NM5
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    396 A
  • IDpuls max
    1584 A
  • Ptot max
    375 W
  • QG (typ @10V)
    175 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.2 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    TOLT (HDSOP-16)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    16 Pins
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    3.35
OPN
IPTC012N08NM5ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这款 OptiMOS ™ 5 MOSFET 采用 TOLT（TO 引线顶部冷却）封装，将封装创新与 OptiMOS ™ 5 技术相结合，打造出 80 V 的一流产品，并具有高额定电流，适合高功率密度设计。 采用顶部冷却时，漏极暴露在封装表面，95% 的热量可直接传递到散热器，与 TOLL 封装相比，可实现更好的热性能。

特性

  • 低 RDS(on)
  • 高额定电流 >300 A
  • 顶部冷却
  • 负隔离
  • 无锡裸露焊盘

产品优势

  • 提高系统效率，延长电池寿命
  • 高功率密度
  • 卓越的热性能
  • 节省冷却系统
  • 最大限度地减少散热器的热阻

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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