现货，推荐
符合RoHS标准

IPTG029N13NM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 135 V TOLG 正常电平
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPTG029N13NM6
IPTG029N13NM6
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    212 A
  • QG (typ @10V)
    104 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.9 mΩ
  • VDS max
    135 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Package
    TOLG (HSOG-8)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    2.73
受到推崇的
OPN
IPTG029N13NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOG-8
封装名 TOLG
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOG-8
封装名 TOLG
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
OptiMOS ™ 6 135 V 适用于高功率电机驱动应用，例如 LEV、电动叉车、电动和园艺工具，也适用于主要使用 72-84 V 电池的 UPS 应用。 该产品有效弥补了 120 V 和 150 V MOSFET 之间的差距，并在 RDS(on) 和成本方面提供了显著的改进，有助于提高系统效率。

特性

  • 导通电阻降低高达 48%
  • 栅极阈值电压扩展降低高达 38%
  • 反向恢复电荷 (Qrr) 减少高达 70%

产品优势

  • 降低系统成本
  • 减少并联需求
  • 降低 VDS 过冲和开关损耗
  • 更高功率密度设计

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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