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IPZ40N04S5L-3R6
停产
已停产
符合RoHS标准

IPZ40N04S5L-3R6

停产
40 V、N 沟道、3.6 mΩ（最大值）、汽车级 MOSFET、S3O8（3x3）、OptiMOS ™ 5
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封装
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IPZ40N04S5L-3R6
IPZ40N04S5L-3R6
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数据手册
  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany
  • 最高 ID
    251 A
  • 最高 ID (@25°C)
    40 A
  • 最高 QG (typ @10V)
    32.8 nC
  • QG (typ @10V)
    25.2 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.6 mΩ
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™5
  • 推出年份
    2021
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2029
  • 认证标准
    Automotive
OPN
IPZ40N04S5L3R6ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • OptiMOS ™功率 MOSFET
  • N-ch.-增强模式-逻辑电平
  • 超越 AEC-Q101 的扩展资格
  • 增强电气测试
  • 坚固的设计
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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