IRF1010EZS

IRF1010EZS

采用 D2-Pak 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRF1010EZS
IRF1010EZS


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    84 A
  • 最高 Ptot
    140 W
  • Qgd
    21 nC
  • QG (typ @10V)
    58 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    8.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.11 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.51

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

应用

文档

设计资源

开发者社区