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IRF135S203

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135V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 D2PAK（TO-263）封装
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IRF135S203
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    129 A
  • Ptot max
    441 W
  • Qgd
    43 nC
  • QG (typ @10V)
    180 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    8.4 mΩ
  • RthJC max
    0.34 K/W, 175 K/W
  • VDS max
    135 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    D2PAK (TO-263)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    1.28
OPN
IRF135S203
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
包装尺寸 800
包装类型 TAPE & REEL RIGHT
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
包装尺寸 800
包装类型 TAPE & REEL RIGHT
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌最新的 135 V StrongIRFET ™功率 MOSFET 器件为电池供电应用提供低 RDS(on)、稳健性、可靠性和成本效益。

特性

  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 高电流承载能力封装

产品优势

  • 多供应商兼容性
  • 行业标准资质等级
  • 标准引脚排列允许直接替换
  • 提高电流承载能力

 

文档

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