IRF150DM115
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IRF150DM115

采用 DirectFET ™封装的 150 V 单 N 通道 OptiMOS ™ MOSFET
数据手册
封装

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IRF150DM115
IRF150DM115
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    60 A
  • QG (typ @10V)
    33 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    11.3 mΩ
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4.6 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • 封装
    DirectFET
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.26

OPN
IRF150DM115XTMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
DIRECTFET
封装名 DirectFET (M)
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MX
晶圆产地
AT

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
DIRECTFET
封装名 DirectFET (M)
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MX
晶圆产地
AT

特性

  • 双面冷却封装
  • 低寄生电感
  • 低调设计
  • 高电流能力
  • 100% 无铅（无 RoHS 豁免）

产品优势

  • 实现高功率密度设计
  • 高效率
  • 最小化EMI
  • 优化散热
  • 减少电路板空间
  • 减少设备并联

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区