IRF150P221
现货，推荐
符合RoHS标准

IRF150P221

采用 TO-247 封装的 150V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF150P221
IRF150P221
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    186 A
  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    132 A
  • 最高 IDpuls
    507 A
  • 最高 Ptot
    341 W
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    3.8 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @10V)
    80 nC
  • 最高 QG
    100 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.5 mΩ
  • 最高 RthJA
    40 K/W
  • 最高 RthJC
    0.44 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4.6 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    2.64

推荐的
OPN
IRF150P221AKMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 400
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 400
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE

特性

  • 极低的 RDS(on)
  • 优异的栅极电荷 x RDSon
  • 优化的 Qrr
  • 175°C 工作温度
  • 根据 JEDEC 标准进行验证
  • 针对最广泛的可用性进行了优化

产品优势

  • 降低传导损耗
  • 非常适合高开关频率
  • 降低过冲电压
  • 增强150°C以上部件的可靠性
  • 符合IEC61249-2-21标准的无卤素
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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