IRF2804
在产
符合RoHS标准

IRF2804

采用 TO-220 封装的 40V 单 N 沟道功率 MOSFET

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IRF2804
IRF2804

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    270 A
  • 最高 Ptot
    330 W
  • Qgd
    66 nC
  • QG (typ @10V)
    160 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.3 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.45 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.84
OPN
IRF2804PBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 行业标准通孔电源
  • 高额定电流

产品优势

  • 多供应商兼容性
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列,直接替换
  • 高电流、高功率密度

应用

文档

设计资源

开发者社区

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