已淘汰
符合RoHS标准

IRF3315

采用 TO-220AB 封装的 150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF3315
IRF3315
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    23 A
  • 最高 Ptot
    94 W
  • Qgd
    31.3 nC
  • QG (typ @10V)
    63.3 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    70 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.6 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 极性
    N
OPN
IRF3315PBF
产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 N/A
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

应用

文档

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