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IRF5803
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符合RoHS标准
无铅

IRF5803

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采用 TSOP-6（Micro 6）封装的 -40V 单 P 沟道功率 MOSFET
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封装
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IRF5803
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -3.4 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    1.3 W
  • Qgd
    3.5 nC
  • QG (typ @10V)
    25 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    112 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    190 mΩ
  • 最高 RthJA
    62.5 K/W
  • Special Features
    Small Power
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    -40 V
  • VGS(th) 范围
    -1 V 至 -3 V
  • VGS(th)
    -2 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    TSOP-6
  • 极性
    P
  • 湿度敏感等级
    2
  • 预算价格€/1k
    0.13

OPN
IRF5803TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSOP6L
封装名 TSOP-6
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
IL
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSOP6L
封装名 TSOP-6
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
IL
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IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 符合 JEDEC 的产品认证
  • 针对应用进行了优化的硅片
  • 行业标准表面贴装功率

产品优势

  • 增强坚固性
  • 分销渠道广泛
  • 行业标准资质水平
  • 高性能、低频率
  • 标准引脚排列，直接替换
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