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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRF5803

停产
采用 TSOP-6（Micro 6）封装的 -40V 单 P 沟道功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF5803
IRF5803
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    -3.4 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    1.3 W
  • Qgd
    3.5 nC
  • QG (typ @10V)
    25 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    112 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    190 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    -40 V
  • VGS(th)
    -2 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    TSOP-6
  • Polarity
    P
  • Moisture Sensitivity Level
    2
  • Special Features
    Small Power
  • Budgetary Price €/1k
    0.13
OPN
IRF5803TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSOP6L
封装名 TSOP-6
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSOP6L
封装名 TSOP-6
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 符合 JEDEC 的产品认证
  • 针对应用进行了优化的硅片
  • 行业标准表面贴装功率

产品优势

  • 增强坚固性
  • 分销渠道广泛
  • 行业标准资质水平
  • 高性能、低频率
  • 标准引脚排列，直接替换

文档

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