IRF5Y3315CM
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IRF5Y3315CM

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IRF5Y3315CM
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商品详情

  • 最高 ID (@100°C)
    12 A
  • 最高 ID (@25°C)
    18 A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    85 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    150 V
  • 产品类别
    High Reliability MOSFETs
  • 封装
    TO-257AA
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 电压等级
    100 V
  • 语言
    SPICE

OPN
IRF5Y3315CMEPSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 M-TO257-3
封装名 N/A
封装尺寸 1
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
封装产地
MX
晶圆产地
US

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 M-TO257-3
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MX
晶圆产地
US
IRF5Y3315CM 是一款高可靠性、150V、单 N 沟道 MOSFET，采用 TO-257AA 封装。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。

应用

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