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IRF60B217
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IRF60B217

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60V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 TO-220 封装
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IRF60B217
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    60 A
  • 最高 Ptot
    83 W
  • Qgd
    14 nC
  • QG (typ @10V)
    44 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    9 mΩ
  • 最高 RthJC
    175 K/W, 1.8 K/W
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.7 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.52

OPN
IRF60B217
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
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StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 行业标准通孔功率封装
  • 高额定电流
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100 kHz 开关应用进行优化的硅片
  • 与上一代硅片相比，体二极管更软
  • 提供广泛的产品组合

产品优势

  • 标准引脚排列，可直接替换
  • 高电流承载能力封装
  • 行业标准资质等级
  • 低频应用中的高性能
  • 提高功率密度
  • 为设计人员提供灵活性，以选择最适合其应用的器件

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区