已淘汰
符合RoHS标准

IRF6218

采用 TO-220AB 封装的 -150V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF6218
IRF6218
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -27 A
  • 最高 Ptot
    250 W
  • Qgd
    32 nC
  • QG (typ @10V)
    71 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    150 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.61 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    -150 V
  • VGS(th) 范围
    -3 V 至 -5 V
  • VGS(th)
    -4 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 极性
    P
OPN
IRF6218PBF
产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt
  • 额定值 快速切换
  • 完全符合雪崩等级
  • 工作温度 175°C
  • P沟道MOSFET

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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