IRF6718L2

采用 DirectFET L6 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 61 安培，具有低导通电阻
数据手册

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IRF6718L2
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    270 A
  • IDpuls max
    490 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    4.3 W
  • Ptot max
    83 W
  • Qgd
    20 nC
  • QG (typ @4.5V)
    64 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.4 mΩ
  • RthJC max
    1.8 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.9 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DirectFET L6
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 微型模板
    IRF66L6-25
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

应用

文档

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