IRF6718L2

IRF6718L2

采用 DirectFET L6 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 61 安培，具有低导通电阻
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF6718L2
IRF6718L2
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    270 A
  • 最高 IDpuls
    490 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    4.3 W
  • 最高 Ptot
    83 W
  • Qgd
    20 nC
  • QG (typ @4.5V)
    64 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    0.7 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    1.4 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.8 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    25 V
  • VGS(th) 范围
    1.35 V 至 2.35 V
  • VGS(th)
    1.9 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DirectFET L6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 微型模板
    IRF66L6-25
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区