IRF7465
在产
符合RoHS标准
无铅

IRF7465

采用 SO-8 封装的 IR MOSFET 150 V
数据手册
封装

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IRF7465
IRF7465
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    1.9 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    5 nC
  • QG (typ @10V)
    10 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    280 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • 最高 VGS
    30 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.22

推荐的
OPN
IRF7465TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
PH,TH
晶圆产地
CN

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
PH,TH
晶圆产地
CN
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品优势

  • 符合 RoHS 标准
  • 行业领先的品质
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 低栅极-漏极电荷，可降低开关损耗
  • 全面表征电容，包括有效损耗，可简化设计
文档

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