IRF7490
在产
符合RoHS标准
无铅

IRF7490

采用 SO-8 封装的 IR MOSFET 100 V
数据手册
封装

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IRF7490
IRF7490
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    5.4 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    10 nC
  • QG (typ @10V)
    37 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    39 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.28

推荐的
OPN
IRF7490TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品优势

  • 符合 RoHS 标准
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速切换
  • 完全雪崩额定值
  • 175°C 工作温度
文档

设计资源

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