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IRF7530
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRF7530

停产
采用 Micro 8 封装的 20V 双 N 沟道功率 MOSFET

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IRF7530
IRF7530

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    5.4 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    1.3 W
  • Qgd (typ)
    3.4 nC
  • QG (typ @4.5V)
    18 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    30 mΩ
  • 最高 RthJA
    100 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    20 V
  • VGS(th) 范围
    0.6 V 至 1.2 V
  • VGS(th)
    0.9 V
  • 最高 VGS
    12 V
  • 封装
    Micro8 (MO-187)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N+N, N+N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.3
OPN
IRF7530TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 MICRO8
封装名 Micro8 (MO-187)
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 N/A
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 MICRO8
封装名 Micro8 (MO-187)
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅优化
  • 薄型封装（小于 1.1 毫米）

产品优势

  • 增强的坚固性
  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 低频应用中的高性能
  • 紧凑的外形

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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