IRF7809AV

IRF7809AV

采用 SO-8 封装的 IR MOSFET 30 V
数据手册

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IRF7809AV
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数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    13.3 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @4.5V)
    41 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    9 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • 最低 VGS(th)
    1 V
  • 最高 VGS
    12 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.43

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品优势

  • 符合 RoHS 标准
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速开关
  • 完全雪崩额定值
  • 175°C 工作温度

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区