IRF7832
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IRF7832

采用 SO-8 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF7832
IRF7832
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    20 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @4.5V)
    34 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    4.8 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • Special Features
    Logic Level
  • 最高 Tj
    155 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • VGS(th) 范围
    1.39 V 至 2.32 V
  • VGS(th)
    1.86 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 155 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.37

推荐的
OPN
IRF7832TRPBF
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,PH,TH
晶圆产地
IL,TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,PH,TH
晶圆产地
IL,TW

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 4.5V VGS 时 RDS(ON) 较低
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 超低栅极阻抗
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