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无铅

IRF9389

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30V 双 N 通道和 P 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 SO-8 封装
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IRF9389
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    -4.6 A, 6.8 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    2.1 nC, 0.98 nC
  • QG (typ @10V)
    8.1 nC, 6.8 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    64 mΩ, 27 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    103 mΩ, 40 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.8 V, -1.8 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    SO-8
  • Polarity
    N+P
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    0.14
OPN
IRF9389TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 行业标准表面贴装封装
  • 针对开关频率 <100kHz
进行了硅片优化

产品优势

  • 广泛分布
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列，直接替换
  • 高性能，低频率

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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