IRF9953
已淘汰
符合RoHS标准
无铅

IRF9953

采用 SO-8 封装的 -30V 双 P 通道功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF9953
IRF9953
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -2.3 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2 W
  • Qgd (typ)
    1.1 nC
  • QG (typ @10V)
    6.1 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    250 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    400 mΩ
  • 最高 RthJA
    62.5 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    -30 V
  • 最低 VGS(th)
    -1 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    P+P
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
IRF9953TRPBF
产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100KHz 开关应用进行了硅优化
  • 行业标准表面贴装功率封装

产品优势

  • 增强耐用性
  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 低频应用中的高性能
  • 标准引脚排列允许直接替换

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区