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IRFAG50
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数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@100°C)
    3.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    5.6 A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    2000 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    1000 V
  • 封装
    TO-204AA
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N

OPN
IRFAG50EWSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
M-TO204-3
封装名 TO-204AA (TO-3)
封装尺寸 1
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
封装产地
MX
晶圆产地
US

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
M-TO204-3
封装名 TO-204AA (TO-3)
封装尺寸 1
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MX
晶圆产地
US
IRFAG50 是一款高可靠性、1000V、单 N 沟道 MOSFET，采用 TO-204AA 封装。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。

应用

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