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替换型号
IRFB3407Z
停产
已停产
符合RoHS标准

IRFB3407Z

停产
采用 TO-220AB 封装的 75V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册
封装
替换型号

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IRFB3407Z
IRFB3407Z
替换型号
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    122 A
  • 最高 Ptot
    230 W
  • Qgd
    24 nC
  • QG (typ @10V)
    79 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    6.4 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.65 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    75 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.98

OPN
IRFB3407ZPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
晶圆产地
DE,KR,TW
替换型号

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
晶圆产地
DE,KR,TW
替换型号

特性

  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 行业标准通孔功率封装
  • 高电流承载能力封装

产品优势

  • 多供应商兼容性
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列允许直接替换
  • 提高载流能力

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区