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IRFB4110G
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已停产
符合RoHS标准

IRFB4110G

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100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用无铅无卤素 TO-220AB 封装
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封装
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IRFB4110G
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商品详情

  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    180 A
  • 最高 ID
    130 A
  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    130 A
  • 最高 Ptot
    370 W
  • Qgd
    43 nC
  • QG
    150 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.5 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    4.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.4 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 极性
    N

OPN
IRFB4110GPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
晶圆产地
DE,GB,TW
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
晶圆产地
DE,GB,TW
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产品优势

  • 符合 RoHS 规定

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区