IRFC65R190CDV
即将推出
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符合RoHS标准

IRFC65R190CDV

认证商用现货 650 V、14 A、N 沟道 MOSFET（裸芯片）
数据手册

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IRFC65R190CDV
IRFC65R190CDV
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    14 A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    0.2 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    650 V
  • 封装
    Bare Die
  • 拓扑结构
    Bare Die
  • 极性
    N
  • 系列
    Enhanced COTS power MOSFETs
  • 质量等级
    AEC-Q101

OPN
产品状态 coming soon
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 coming soon
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR HiRel（英飞凌科技公司）的 650 V CoolMOS™ CFD7A 具有一流的品质因数 (FOM)，具有集成的快速体二极管和低 Qrr。该器件适用于硬开关和软开关拓扑中的 PFC 和 DC - DC 转换器。

特性

  • 低 RDS(on)
  • 100% 雪崩测试
  • 裸芯片
  • 符合 AEC-Q101 标准
  • 开尔文源极连接

应用

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