IRFH5106

IRFH5106

60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 5mm X 6mm PQFN 封装
数据手册

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IRFH5106
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数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@ TA=25°C)
    21 A
  • 最高 ID
    63 A
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    100 A
  • 最高 ID (@ TA=70°C)
    17 A
  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    63 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    3.6 W
  • 最高 Ptot
    114 W
  • Qgd
    17 nC
  • QG
    50 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    5.6 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    5.6 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.1 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 5 x 6 B
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区