IRFH5250
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IRFH5250

采用 PQFN 5x6 封装的 25V 单 N 沟道功率 MOSFET
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IRFH5250
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    3.6 W
  • Qgd
    17 nC
  • QG (typ @4.5V)
    52 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    1.75 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.15 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.5 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    25 V
  • VGS(th) 范围
    1.35 V 至 2.35 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.59

OPN
IRFH5250TRPBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,MY
晶圆产地
GB,MY
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产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,MY
晶圆产地
GB,MY
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StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 行业标准表面贴装封装
  • 针对开关频率 <100kHz
进行了硅片优化

产品优势

  • 广泛分布
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列，直接替换
  • 高性能，低频率

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区