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IRFIZ44N
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRFIZ44N

停产
采用 TO-220 FullPak 封装的 55V 单 N 通道功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRFIZ44N
IRFIZ44N
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    31 A
  • 最高 Ptot
    38 W
  • Qgd
    18 nC
  • QG (typ @10V)
    43.3 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    24 mΩ
  • 最高 RthJC
    3.3 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    55 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.46

OPN
IRFIZ44NPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
FULLPAK220
封装名 TO-220 FullPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
CN,TW

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
FULLPAK220
封装名 TO-220 FullPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
CN,TW
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 符合 JEDEC 的产品认证
  • 针对应用进行了优化的硅片
  • 隔离封装

产品优势

  • 增强坚固性
  • 分布广泛
  • 行业标准资质水平
  • 高性能、低频率
  • 无需绝缘硬件

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区