IRFR7540
在产
符合RoHS标准

IRFR7540

StrongIRFET ™功率 MOSFET 60 V，采用 DPAK 封装
数据手册
封装

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IRFR7540
IRFR7540
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    110 A
  • 最高 Ptot
    140 W
  • Qgd
    27 nC
  • QG (typ @10V)
    86 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.8 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.05 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.7 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.43

推荐的
OPN
IRFR7540TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
DPAK
封装名 DPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,MX
晶圆产地
DE,IL

产品状态
Active
英飞凌封装名称
DPAK
封装名 DPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,MX
晶圆产地
DE,IL
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品优势

  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对 10 V 栅极驱动电压（称为正常电平）进行了优化
  • 针对低于 <100 KHz 开关应用进行了优化的硅片
  • 与上一代硅片相比，体二极管更软
  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 可进行波峰焊
文档

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