IRFU3607
在产
符合RoHS标准

IRFU3607

采用 I-Pak 封装的 75V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFU3607
IRFU3607
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    80 A
  • 最高 Ptot
    140 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @10V)
    56 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    9 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.05 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    75 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    IPAK (TO-251)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.63

推荐的
OPN
IRFU3607PBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
IPAK
封装名 IPAK
封装尺寸 3000
封装类型 TUBE
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
GB,TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
IPAK
封装名 IPAK
封装尺寸 3000
封装类型 TUBE
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
GB,TW
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 行业标准通孔封装
  • 针对开关频率 <100kHz
进行了硅片优化

产品优势

  • 广泛分布
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列的直接替换
  • 高性能、低频率
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区