IRHC57130CDV
现货,推荐
符合RoHS标准

IRHC57130CDV

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IRHC57130CDV
IRHC57130CDV
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • 产品组
    Rad hard power MOSFET
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    3
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHC57130CDV 是采用裸片封装的 100V 抗辐射 MOSFET。该R5代器件的电气性能高达100kRad(Si),并经过100%的芯片目视检查。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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