IRHC593Z60CDH
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IRHC593Z60CDH

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IRHC593Z60CDH
IRHC593Z60CDH


商品详情

  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • 产品组
    Rad hard power MOSFET
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    3

OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHC593Z60CDH 是采用裸片封装的 30V 抗辐射 MOSFET。该 R5 代器件的电气性能高达 300 kRad(Si)，并根据 MIL-PRF-19500 附录 G 进行了 H 级筛选。

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