IRHE3110
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IRHE3110

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IRHE3110
IRHE3110
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@100°C)
    2.2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.5 A
  • QG
    11 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    600 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    18-pin LCC
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHE3110 是一款采用 IR HiRel R4 HEXFET 技术的抗辐射 MOSFET，可在空间应用中提供高性能功率。该 COTS 器件的击穿电压额定值为 100V，漏极电流为 3.5A。该 N 沟道 MOSFET 采用表面贴装 18 引脚封装，电气性能高达 300krad(Si)。经过 SEE 强化，它是 DC-DC 转换器、电机驱动器、电力推进和热管理的可靠选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区