IRHE57034
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IRHE57034

数据手册
封装

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IRHE57034
IRHE57034
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    7.4 A
  • 最高 ID (@25°C)
    12 A
  • QG
    45 nC
  • QPL部件号
    2N7495U5
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    80 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.8 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    18-pin LCC
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHE57034 是一款抗辐射单 N 沟道 MOSFET，可处理 60V 和 12A。它采用表面贴装 18 针 LCC 封装，电气性能高达 100krad(Si) TID。该 COTS R5 器件具有低 RDS(on) 和栅极电荷，非常适合用于 FPGA、ASIC 和 DSP 核心轨的空间 POL 转换器；配电电路；有源 ORing 电路等。以 SEE 为特征，LET 有效性能高达 80 (MeV/(mg/cm2))。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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