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IRHF57133SE

数据手册
封装

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IRHF57133SE
IRHF57133SE
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    6.5 A
  • ID (@25°C) max
    10.5 A
  • QG
    48 nC
  • QPL Part Number
    2N7497T2
  • RDS (on) (@25°C) max
    100 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    130 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    TO-205AF
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHF57133SE R5 N 沟道 MOSFET 非常适合空间应用，具有抗辐射能力以及 130V 和 10.5A 额定值。其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗，同时其在卫星应用中经过验证的 10 年性能记录可确保可靠性。主要优点包括快速切换、电压控制和温度稳定性。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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