IRHF57133SE
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IRHF57133SE

数据手册
封装

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IRHF57133SE
IRHF57133SE
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    6.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    10.5 A
  • QG
    48 nC
  • QPL部件号
    2N7497T2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    100 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    130 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-205AF
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHF57133SE R5 N 沟道 MOSFET 非常适合空间应用，具有抗辐射能力以及 130V 和 10.5A 额定值。其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗，同时其在卫星应用中经过验证的 10 年性能记录可确保可靠性。主要优点包括快速切换、电压控制和温度稳定性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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